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關注：1
2013-05-23 12:21
求翻譯：and (2) detector currents of silicon detectors situated close to silicon light sources could result in currents about 1000 times greater than the detection threshold noise current of the detectors.Furthermore, it was observed that SiO? field oxide structures could be effectively defined at the edges of n+ and p+ “activ是什么意思？ 待解決
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and (2) detector currents of silicon detectors situated close to silicon light sources could result in currents about 1000 times greater than the detection threshold noise current of the detectors.Furthermore, it was observed that SiO? field oxide structures could be effectively defined at the edges of n+ and p+ “activ
問題補充： |
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2013-05-23 12:21:38
（2）探測器靠近硅光源的硅探測器的電流可能會導致電流在約1000倍，大于檢測閾值噪聲detectors.furthermore目前，據觀察SIO?場氧化層結構，可以有效地在邊緣定義n +和p +“主動”CMOS設計過程中遇到的層。內部發生反射發射（圖一）最角度，除第10微米的波導將發生一些損失
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2013-05-23 12:23:18
(2)探測器電流探測器靠近芯片的硅芯片光源會導致電流約為1000倍的檢測閾值電流的噪音探測器。此外,有的與會者指出,sio2”字段中定義氧化物結構都可以有效地在邊緣的n+和p+"積極"圖層遇到cmos設計過程。
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2013-05-23 12:24:58
并且(硅探測器2)探測器潮流位于緊挨硅光源可能導致潮流大約1000次大于探測器的偵
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2013-05-23 12:26:38
和 (2) 檢測器電流的硅探測器靠近硅光來源可能導致約 1000年倍大于檢測閾值電流噪聲當前的探測器。此外，有與會者 SiO? 外地氧化物結構可以有效地定義邊緣的 n + p +"活動"層 CMOS 中遇到設計過程。內部反射發生的排放的角度 （圖我），除了一些損失發生進的波導的第一個 10 微米的
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2013-05-23 12:28:18
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