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關注：1
2013-05-23 12:21
求翻譯：The threshold voltage of the nHUSFET is much lower than that of nMOSFET, because Ci is reduced and the interface charge density Qi is increased due to the deposition of carbon nitride.是什么意思？ 待解決
 懸賞分：1
- 離問題結束還有
The threshold voltage of the nHUSFET is much lower than that of nMOSFET, because Ci is reduced and the interface charge density Qi is increased due to the deposition of carbon nitride.
問題補充： |
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2013-05-23 12:21:38
閾值電壓的nhusfet比NMOSFET低得多，因為CI是減少和界面電荷密度氣增加，由于氮化碳沉積。
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2013-05-23 12:23:18
nhusfet的閾值電壓的nmosfet遠遠低于,因為ci將降低,并且接口密度淇是由于增加了充電的碳氮化鈦的沉積。
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2013-05-23 12:24:58
nHUSFET 的閾值電壓是比 nMOSFET 更低的，因為 Ci 被減少和界面費用密度 Qi 由于碳氮化物的沉積物被增強。
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2013-05-23 12:26:38
由于 Ci 減少和界面電荷密度齊由于沉積氮化碳薄膜的增加，遠低于 nMOSFET，nHUSFET 的閾值電壓。
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2013-05-23 12:28:18
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