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關注：1
2013-05-23 12:21
求翻譯：The presence of hydrogenated Si-bonds (Si-H) at the interface between Si and gate oxide, the boron penetration into the gate oxide, and the presence of impurities in the oxide originate interface and oxide charge traps是什么意思？ 待解決
 懸賞分：1
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The presence of hydrogenated Si-bonds (Si-H) at the interface between Si and gate oxide, the boron penetration into the gate oxide, and the presence of impurities in the oxide originate interface and oxide charge traps
問題補充： |
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2013-05-23 12:21:38
在場氫化硅債券（SI-H），滲透到閘極氧化層的硼硅柵氧化層之間的界面，氧化物中的雜質的存在源于界面和氧化層電荷陷阱
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2013-05-23 12:23:18
故此存在的si的債券(si-h)之間的接口在si和閘極氧化層、硼滲透到柵極氧化層的存在和雜質在氧化物源自接口和氧化物收費陷阱
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2013-05-23 12:24:58
出現氫化Si結合(SiH)在Si之間的接口，并且門氧化物、硼滲透到門氧化物里和雜質出現在氧化物發源接口和氧化物充電陷井
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2013-05-23 12:26:38
氫化硅-債券 (Si H) 硅和柵氧化、 硼滲透到柵氧化層，界面上的存在和氧化中雜質的存在源于界面和氧化收費陷阱
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2013-05-23 12:28:18
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