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關(guān)注:1
2013-05-23 12:21
求翻譯:The recommended IC embodiment was simulated using AMI’s 0.5- m technology models for MOSFETs; macromodels for the opamps, transconductors, and the 90% efficient regulator; and a 720-F 0.1- series combination for an 800-mAh battery. With set to 200 mV, the efficiency of the mirror-sensing charger circuit outperformed th是什么意思?![]() ![]() The recommended IC embodiment was simulated using AMI’s 0.5- m technology models for MOSFETs; macromodels for the opamps, transconductors, and the 90% efficient regulator; and a 720-F 0.1- series combination for an 800-mAh battery. With set to 200 mV, the efficiency of the mirror-sensing charger circuit outperformed th
問題補(bǔ)充: |
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2013-05-23 12:21:38
推薦IC體現(xiàn)是AMI的0.5米的技術(shù)模式利用MOSFET的模擬和720-F-0.1系列800毫安的電池組合;運算放大器,transconductors,90%的效率調(diào)節(jié)的宏模型。集到200 mV,鏡面感應(yīng)充電器電路的效率優(yōu)于2.9%的電阻檢測電路,如圖所示。 9,whichmconstitutes失去了權(quán)力感測電阻(圖5)。
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2013-05-23 12:23:18
推薦使用ami的模擬ic體現(xiàn)0.5-m模型技術(shù)的mosfet;精簡模型的運算放大器,transconductors,90%高效穩(wěn)壓器;和一個720-f0.1-系列組合了800mah的電池。 與設(shè)置為200mv,效率的后視鏡感應(yīng)充電器電路遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了電阻器的傳感電路2.9%,如圖所示的圖。 9、whichmconstitutes電源丟失在傳感電阻器(圖 5)。
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2013-05-23 12:24:58
被推薦的集成電路具體化使用AMI的0.5被模仿了- m技術(shù)模型為MOSFETs; 宏觀模式為opamps、transconductors和90%高效率的管理者; 并且720-F 0.1 -系列組合為800mAh電池。 與集合到200 mV,鏡子感覺的充電器電路的效率由2.9%勝過了電阻器感覺的電路,如所顯示。 9, whichmconstitutes在感覺電阻器丟失的力量(。 5).
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2013-05-23 12:26:38
推薦的 IC 體現(xiàn)了模擬 Mosfet ; 使用阿美族的 0.5 m 技術(shù)模型macromodels opamps、 transconductors,和 90%的有效監(jiān)管機(jī)構(gòu) ;和 800 毫安時電池的 720-F 0.1 系列組合。使用設(shè)置為 200 mV,鏡像遙感充電器電路的效率表現(xiàn)的電阻感應(yīng)電路 2.9 %,如圖 9 所示,whichmconstitutes 電源丟失在感應(yīng)電阻器 (圖 5)。
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2013-05-23 12:28:18
被推薦的 IC 體現(xiàn)為了 MOSFETs 使用男友的 0.5 米的技術(shù)模型被模擬;opamps 的大模型,跨指揮,以及 90% 能干的管理者;以及對于一節(jié) 800-mAh 電池的 720-F 0.1 系列組合。利用對于 200 mV 的套,被超過的覺察鏡子的充電器電路的效率由 2.9% 所作的 resistor 意義的電路,如無花果所示。9,力量在意義抵抗者中失去的 whichmconstitutes( 無花果。5).
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