與對照組相比，中電患者上門牙冠高度降低9.7-22.5％（P <0.05），根長度減少15.8-31.7％（P <0.05）。 bclp患者有更大的比的UCLP例（P <0.05）減少。有控制與bclp門齒和antimeres之間沒有顯著性差異。然而，UCLP裂側(cè)的測量結果低于那些非裂側(cè)（P <0.05）。非典型根形狀的流行電高于在對照組（P = 0.002），其中83.3％（30 36）發(fā)生在中央門齒靠近裂。

與控制相比，CLP患者中的上面的切牙的王冠高度被減少9.7-( P<0.05),，并且根長度被減少15.8-( P<0.05).BCLP患者比UCLP情況( P<有較更大的減少0.05).沒有切牙之間的重要的差異和他們antimeres被控制住相對于BCLP。

比較控制，在CLP患者9.7-22.5%減少冠高度上部門牙(P<0.05)，并且15.8-31.7%減少根長度(P<0.05)。 BCLP患者比UCLP事例(P<0.05)有更加巨大的減少。 沒有在門牙和他們的antimeres之間的重大區(qū)別在控制對BCLP。 然而，測量在裂縫邊在UCLP低于那些非裂縫邊(P<0.05)。 非典型根形狀的流行是高在CLP比在控制群(P=0.002); 這83.3% (30 在中央門牙)發(fā)生的36臨近裂縫。

與控件相比，官方高度的門牙中電患者減少了 9.7 22.5%(P < 0.05），和根長度減少了 15.8 31.7%(P < 0.05）。BCLP 病人有更大減的單側(cè)完全性例 (P < 0.05）。有間切牙及他們的 antimeres 與 BCLP 控件中無顯著差異。但是，測量在單側(cè)完全性唇腭裂一邊是低于非腭裂側(cè) (P < 0.05）。非典型根形狀的患病率較高中電比對照組 (P = 0.002） ；這些 83.3%(30 36） 發(fā)生在中切牙裂附近。

與控制相比，在 CLP 病人中上層的門牙的王冠高度被 9.7-22.5% 減少 (P <0.05)，以及根本長度被 15.8-31.7% 減少 (P <0.05)。BCLP 病人有比 UCLP 案例更重要的縮減 (P <0.05)。與 BCLP 沒有門牙和他們的 antimeres 之間在控制中的重要區(qū)別。然而，有關在 UCLP 的裂縫邊的度量法是比那些更低的非裂縫邊中 (P <0.05)。非典型根本形狀的流行在 CLP 中是更高的比在控制團體中 (P = 0.002) ；這些 83.3% 中 (30 36) 在裂縫附近在中央門牙發(fā)生。