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2013-05-23 12:21
求翻譯:three pMOS transistors with different sizes have been inserted in series between VDD and the supply node of the VCO. The three pMOS transistors operating in the triode region have nominal series resistance values of 18, 12, and 6 ohms.By turning on one of the transistors M1, M2, andM3 , different supply voltagesV1 , V2是什么意思?![]() ![]() three pMOS transistors with different sizes have been inserted in series between VDD and the supply node of the VCO. The three pMOS transistors operating in the triode region have nominal series resistance values of 18, 12, and 6 ohms.By turning on one of the transistors M1, M2, andM3 , different supply voltagesV1 , V2
問題補充: |
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2013-05-23 12:21:38
已插入三PMOS晶體管大小不同系列之間的VDD和VCO的電源節點。三個PMOS晶體管經營三極管地區的名義系列電阻值18,12和6 ohms.by轉向晶體管M1,M2,andm3,不同的供應voltagesv1,V2,V3可以提供給振蕩器。圖8(二)總結VDD和三個可能的電源電壓之間的模擬電壓下降。是小的電壓裕量的減少。此外,該系列電阻提供少量的電源隔離。
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2013-05-23 12:23:18
三pmos晶體管與不同大小之間插入了在系列VDD的供應和節點的VCO。 這三個pmos晶體管操作在制成區域有面值系列電阻值的18、12和6歐姆.的轉折點的一個晶體管M1,M2,andm3,不同供應voltagesv1,v2,V3可以向該振蕩器。 圖。 8(b)概述了模擬VDD電壓下降之間,這三個可能的供應電壓。
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2013-05-23 12:24:58
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2013-05-23 12:26:38
三個不同大小的 pMOS 晶體管已插入 VDD 和供應 VCO 的節點之間的系列中。三極管地區經營的三個 pMOS 晶體管具有名義系列 18、 12、 和 6 歐姆的電阻值。通過打開一個晶體管 M1、 M2、 andM3、 voltagesV1 不同供應、 V2 和 V3 可以提供振蕩器。圖限定總結了 VDD 和三個可能的供應電壓之間的模擬的電壓下降。
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2013-05-23 12:28:18
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