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關(guān)注:1
2013-05-23 12:21
求翻譯:[[0034] An electrostatic discharge (ESD) protection device comprises a well region formed from semiconductor material with a first doping type, a floating base formed from semiconductor material with a second doping type, the floating base disposed vertically above the well region, a first terminal receiving region for是什么意思?![]() ![]() [[0034] An electrostatic discharge (ESD) protection device comprises a well region formed from semiconductor material with a first doping type, a floating base formed from semiconductor material with a second doping type, the floating base disposed vertically above the well region, a first terminal receiving region for
問題補(bǔ)充: |
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2013-05-23 12:21:38
[0034]靜電放電(ESD)保護(hù)裝置,包括從第一個(gè)興奮劑類型的半導(dǎo)體材料,半導(dǎo)體材料組成的浮動基地,第二次藥檢類型,垂直井地區(qū)出售的浮動基地,形成一個(gè)良好地區(qū)第一終端接收地區(qū)形成了從半導(dǎo)體材料與第三興奮劑類型,第一個(gè)終端接收垂直處置上述浮動基地的區(qū)域;和第二個(gè)終端接收地區(qū)形成了以第三摻雜型半導(dǎo)體材料,在第二個(gè)終端接收區(qū)域橫向間距從第一硅溝槽隔離(STI)的地區(qū),形成一個(gè)雙極結(jié)型變送器(BJT)的終端接收地區(qū)。
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2013-05-23 12:23:18
[[0034]*
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2013-05-23 12:24:58
((0034) 一套靜電釋放(ESD)保護(hù)裝置包括從半導(dǎo)體材料形成的一個(gè)好的區(qū)域與第一個(gè)摻雜的類型,從半導(dǎo)體材料形成的一個(gè)浮動基地與第二個(gè)摻雜的類型,垂直上面好的區(qū)域被配置的浮動基地,從半導(dǎo)體材料形成的第一個(gè)終端接受區(qū)域與第三個(gè)摻雜的類型,垂直上面浮動基地被配置的第一個(gè)終端接受區(qū)域; 并且第二個(gè)終端接受區(qū)域從半導(dǎo)體材料形成了與第三個(gè)摻雜的類型,第二個(gè)終端接受區(qū)域側(cè)向地被間隔除第一個(gè)終端接受區(qū)域之外由硅溝槽隔離(STI)區(qū)域形成一臺雙極連接點(diǎn)發(fā)射機(jī)(BJT)。
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2013-05-23 12:26:38
[[0034] 靜電放電 (ESD) 保護(hù)裝置包括井區(qū)形成了從半導(dǎo)體材料的第一次的興奮劑類型、 浮動基地,形成了從半導(dǎo)體材料與第二個(gè)興奮劑類型、 處置垂直井區(qū)上方的浮動基地、 形成的半導(dǎo)體材料與第三摻雜類型的第一個(gè)終端接收區(qū)域、 垂直處置的浮動基地 ; 上面的第一個(gè)終端接收區(qū)域和第二航站的接收區(qū)域,形成了從半導(dǎo)體材料的第三個(gè)使用興奮劑類型,第二個(gè)終端接收區(qū)域橫向間距除了由硅溝槽隔離 (STI) 區(qū)域形成雙極型發(fā)射器 (BJT) 的第一個(gè)終端接收區(qū)域。
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2013-05-23 12:28:18
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