|
關注：1
2013-05-23 12:21
求翻譯：Sputtering sources contain no hot parts (to avoid heating they are typically water cooled) and are compatible with reactive gases such as oxygen. Sputtering can be performed top-down while evaporation must be performed bottom-up. Advanced processes such as epitaxial growth are possible是什么意思？ 待解決
 懸賞分：1
- 離問題結束還有
Sputtering sources contain no hot parts (to avoid heating they are typically water cooled) and are compatible with reactive gases such as oxygen. Sputtering can be performed top-down while evaporation must be performed bottom-up. Advanced processes such as epitaxial growth are possible
問題補充： |
|
2013-05-23 12:21:38
濺射源不包含高溫部件（避免加熱它們通常水冷）和活性氣體如氧氣兼容。濺射可以進行自上而下，而蒸發必須執行自下而上。先進的工藝，如外延生長是可能的
|
|
2013-05-23 12:23:18
濺射來源不包含熱點地區(以避免暖氣他們通常水冷)和符合活性氣體如氧氣。 濺射能進行由上而下蒸發而必須進行自下而上。 先進的工藝如外延增長可能是
|
|
2013-05-23 12:24:58
正在翻譯，請等待...
 |
|
2013-05-23 12:26:38
濺射源包含沒有熱部件 （以避免它們通常是水冷的加熱），如氧活性氣體與兼容。濺射可以執行的自上而下而蒸發必須執行自底向上。先進的流程如外延生長有可能
|
|
2013-05-23 12:28:18
濺射源不包含高溫部件（避免加熱它們通常水冷）和活性氣體如氧氣兼容。濺射可以進行自上而下，而蒸發必須執行自下而上。先進的工藝，如外延生長是可能的
|
湖北省互聯網違法和不良信息舉報平臺 | 網上有害信息舉報專區 | 電信詐騙舉報專區 | 涉歷史虛無主義有害信息舉報專區 | 涉企侵權舉報專區
