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關(guān)注：1
2013-05-23 12:21
求翻譯：? The global production capacity of Thin Film (TF) modules has reached around 3.5 GW in 2010. This is likely to increase to more than 5 GW in 2011 and might reach 6 to 8.5 GW in 2012. Today, Copper (Gallium) Indium (di)Selenide (CI(G)S) modules represent about 15 per cent of the TF total capacity, with the remainder eq是什么意思？ 待解決
 懸賞分：1
- 離問題結(jié)束還有
? The global production capacity of Thin Film (TF) modules has reached around 3.5 GW in 2010. This is likely to increase to more than 5 GW in 2011 and might reach 6 to 8.5 GW in 2012. Today, Copper (Gallium) Indium (di)Selenide (CI(G)S) modules represent about 15 per cent of the TF total capacity, with the remainder eq
問題補充： |
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2013-05-23 12:21:38
?全球產(chǎn)能的薄膜（TF）的模塊已在2010年達(dá)到約3.5億千瓦。這是在2011年可能會增加超過5吉瓦，并可能在2012年達(dá)到6至8.5萬千瓦。今天，銅（鎵）銦（DI）硒（CI（G）S）模塊代表的TF，總?cè)萘考s15％，其余之間的碲化鎘（碲化鎘）和Silicon TF共享同樣的。然而，到2012年，EPIA預(yù)計的TF技術(shù)，將代表在生產(chǎn)能力方面享有平等的份額。雖然C - SI模塊的很大一部分是在中國組裝的，大部分的TF制造工廠設(shè)在世界其他地區(qū)的領(lǐng)導(dǎo)人被美國，歐盟，日本和馬來西亞。
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2013-05-23 12:23:18
正在翻譯，請等待...
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2013-05-23 12:24:58
? 薄膜(TF) 2010年模塊全球性生產(chǎn)能力到達(dá)了大約3.5千兆瓦。 2011年2012年這可能增加到超過5千兆瓦并且也許到達(dá)6到8.5千兆瓦。 今天，銅(鎵)銦(二)硒化物(CI (G) S)模塊代表大約TF總?cè)萘康?5%，當(dāng)剩下的人相等地分享在碲化鎘(CdTe)和硅TF之間。 然而，在2012年以前， EPIA期待每一TF技術(shù)將代表一個相等的份額根據(jù)生產(chǎn)能力。 當(dāng)cSi模塊的一個大零件在中國時被裝配，大多TF制造工廠位于世界的其他地區(qū); 領(lǐng)導(dǎo)是美國、歐共體、日本和馬來西亞。
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2013-05-23 12:26:38
· 薄電影 (TF) 模塊的全球產(chǎn)能已達(dá)到大約 3.5 GW 2010 年。這很可能會增加到超過 5 GW 2011 年和 2012 年達(dá)到 6 到 8.5 GW。今天，（鎵) 銅銦 (di) 硒 (CI(G)S) 模塊代表約 15%的 TF 總?cè)萘浚溆嗟耐瑯禹诨k (CdTe) 和硅 TF 之間共享。然而，到 2012 年，EPIA 預(yù)計每種 TF 技術(shù)將代表同等份額的生產(chǎn)能力。C Si 模塊的很大一部分在中國組裝的而大部分的制造工廠的 TF 位于其他地區(qū)的世界 ；正在美國、 歐盟、 日本和馬來西亞領(lǐng)導(dǎo)人。
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2013-05-23 12:28:18
· 薄電影 (TF) 模塊的全球產(chǎn)能已達(dá)到大約 3.5 GW 2010 年。這很可能會增加到超過 5 GW 2011 年和 2012 年達(dá)到 6 到 8.5 GW。今天，（鎵) 銅銦 (di) 硒 (CI(G)S) 模塊代表約 15%的 TF 總?cè)萘浚溆嗟耐瑯禹诨k (CdTe) 和硅 TF 之間共享。然而，到 2012 年，EPIA 預(yù)計每種 TF 技術(shù)將代表同等份額的生產(chǎn)能力。C Si 模塊的很大一部分在中國組裝的而大部分的制造工廠的 TF 位于其他地區(qū)的世界 ；正在美國、 歐盟、 日本和馬來西亞領(lǐng)導(dǎo)人。
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