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關注：1
2013-05-23 12:21
求翻譯：Depends on RAM and chipset type and FSB and RAM frequency and NB volts, what PL you can run. If we compare Intel P35 vs P45 chipset for example it seems P35 allows for 1 - 2 steps lower PL in general. I personally run PL7 at 500 FSB with CellShock Micron D9GKX RAM on my Gigabyte P35 DS4 board with a minor increase in N是什么意思？ 待解決
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Depends on RAM and chipset type and FSB and RAM frequency and NB volts, what PL you can run. If we compare Intel P35 vs P45 chipset for example it seems P35 allows for 1 - 2 steps lower PL in general. I personally run PL7 at 500 FSB with CellShock Micron D9GKX RAM on my Gigabyte P35 DS4 board with a minor increase in N
問題補充： |
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2013-05-23 12:21:38
取決于內存和芯片組類型和外頻和內存頻率和NB伏，PL可以運行。如果我們比較例如英特爾的P35與P45芯片組似乎P35允許1 - 2步驟在一般的PL更低。我在我的技嘉P35 DS4板在500 FSB與CellShock美光D9GKX RAM親自跑PL7 1:1分頻器在NB電壓略有增加，如果我用1.2倍分頻，所以我得到的DDR2 - 1200，我將不得不使用PL8或增加NB電壓，或許有點不安全的水平。
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2013-05-23 12:23:18
取決于RAM和芯片集類型和財經事務局和RAM頻率和毒品調查科伏,什么PL你可以運行。 如果我們比較Intel P35VS p45芯片組例如似乎P35允許為1-2步驟降低PL在一般。 我個人運行PL7cellshock與財經事務局在500微米D.9gkx RAM技嘉技術公司在我p35DS4局的小幅增加與毒品調查科電壓在1:1石壆,如果我使用1.2x分隔欄,我得到DDR __LW_AT__2-1200我將不得不使用PL8或增加毒品調查科電壓,或許有點不安全水平。
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2013-05-23 12:24:58
取決于RAM和芯片組類型和FSB和RAM頻率和NB伏特，什么PL您能跑。 如果我們例如比較英特爾P35對P45芯片組它似乎P35一般來說考慮到1 - 2步更低的PL。 我在我的十億字節P35 DS4委員會親自跑PL7在500 FSB與CellShock微米D9GKX RAM以在NB電壓的較小增量在1:1分切器，如果我使用1.2x分切器，因此我得到或許我將必須使用PL8或增加NB電壓對有些不安全的水平的DDR2-1200。
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2013-05-23 12:26:38
取決于內存和芯片組類型、 前端總線和內存的頻率和 NB 伏特，您可以運行哪些 PL。如果我們比較一下英特爾 P35 vs P45 芯片組，例如似乎 P35 一般為 1-2 步驟低 PL 允許。我親自 PL7 在運行 CellShock 微米 D9GKX ram 500 FSB NB 電壓 1： 1 的分隔線，輕微增加我技嘉 P35 DS4 主板上如果我不得不使用 PL8 或增加也許有點不安全水平的 NB 電壓的 DDR2-1200年所以使用 1.2 x 分隔線。
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2013-05-23 12:28:18
取決于內存和芯片組類型、 前端總線和內存的頻率和 NB 伏特，您可以運行哪些 PL。如果我們比較一下英特爾 P35 vs P45 芯片組，例如似乎 P35 一般為 1-2 步驟低 PL 允許。我親自 PL7 在運行 CellShock 微米 D9GKX ram 500 FSB NB 電壓 1： 1 的分隔線，輕微增加我技嘉 P35 DS4 主板上如果我不得不使用 PL8 或增加也許有點不安全水平的 NB 電壓的 DDR2-1200年所以使用 1.2 x 分隔線。
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